▲2026世界制造业大会，长鑫存储展厅。中新社

   ▲ 2026世界制造业大会上，长鑫存储展示的产品。中新社

【侨报讯】中国存储芯片制造巨头长鑫科技9月20日在2026世界制造业大会上宣布，第五代DRAM技术平台（G5平台）正式量产，同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。据介绍，该平台关键工艺实现多项行业领先的技术突破，依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。

综合中新社、香港文汇报报道，长鑫存储技术有限公司20日在2026世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台实现量产，同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。

据介绍，该平台工艺水平比肩行业顶尖量产工艺节点，是长鑫存储在高端存储技术路线上的里程碑式突破，将为全球存储产业提供更具创新性、更具供应链韧性的解决方案选择。

业内认为，这对中国产高端DRAM突破海外技术壁垒、增强中国在全球存储芯片市场竞争力，具标志性意义。

G5平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。例如，依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将G5平台核心功能区高度缩小到6762纳米。

研发过程中，长鑫存储在现有工艺模块的基础上，创造了独特的数字孪生系统，贯穿包括设计、开发、制造、维护等全生命周期的产品研发过程，在这一虚拟研发线中，搭建先进DRAM工艺模型，加速研发进程。同时，在界面工程、鞍形鳍式结构、低k间隔层位线等核心工艺上实现突破。

G5微缩工艺的突破推动存储密度实现跨越式提升：每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%，在产品能效、成本控制上均具备显著优势。

本次大会同步展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。