【侨报讯】香港中通社报道，中国最大动态随机存取存储器（DRAM）制造商长鑫存储已正式启动高带宽存储器HBM3E的风险试产。尽管目前生产规模有限，但这标志着长鑫存储在高端AI存储领域迈出关键一步，并计划于2027年进一步扩大产量。

据美国科技媒体The Information 8月31日报道，HBM3E是当前AI芯片组的核心组件。据悉，阿里巴巴旗下平头哥、寒武纪等中国主流AI芯片设计公司，正积极测试将长鑫存储的HBM3E与自家处理器搭配使用。若测试进展顺利，这些中国产AI芯片最早将于明年采用该款中国产存储器，为中国产AI算力基础设施构建自主供应链。

从技术规格来看，HBM3E主要为AI加速器和数据中心提供高带宽与大容量支撑。按照JEDEC标准，其位宽为1024-bit，标准配置下总带宽可达1.2TB/s。容量方面，可根据需求采用8层堆迭（24GB）或12层堆迭（36GB）。目前，英伟达H200及Blackwell系列GPU、AMD MI300系列均广泛采用HBM3E，长鑫存储的入局将有效缓解中国国内高端存储的供需瓶颈。

在产能扩张方面，长鑫存储展现出强劲的发展势头。预计到2026年末，其DRAM月产能将提升至30万至35万片晶圆。传闻长鑫还将划出每月约5万片晶圆的产能，专门用于HBM产品的生产。展望未来五年，长鑫存储计划每年增加约10万片晶圆月产能，目标在2031年将总月产能提升至约80万片。

除HBM3E外，长鑫存储在消费级存储领域同样取得突破，近日已正式量产LPDDR6内存，并由小米18 Fold新款折迭旗舰手机首发搭载。随着长鑫存储从风险试产稳步迈向大规模生产，中国产存储芯片在技术迭代与产能规模上的双重提升，正加速推动中国半导体产业的自主化进程。